金融界2025年8月22日消息,国家知识产权局信息显示,大庆溢泰半导体材料有限公司取得一项名为“一种锑化镓抛光晶片表面缺陷控制工艺方法”的专利,授权公告号CN119495559B,申请日期为2024年
金融界2025年7月5日消息,国家知识产权局信息显示,中锗科技有限公司取得一项名为“一种磷化铟抛光药液及抛光方法”的专利,授权公告号CN116333601B,申请日期为2023年02月抛光。天眼查