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溢泰半导体取得锑化镓抛光晶片表面缺陷控制工艺方法专利:抛光
金融界2025年8月22日消息，国家知识产权局信息显示，大庆溢泰半导体材料有限公司取得一项名为“一种锑化镓抛光晶片表面缺陷控制工艺方法”的专利，授权公告号CN119495559B，申请日期为2024年
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创思工贸取得用于带有凸球面的光学件抛光方法专利:抛光
金融界2025年8月22日消息，国家知识产权局信息显示，北京创思工贸有限公司取得一项名为“一种用于带有凸球面的光学件的抛光方法”的专利，授权公告号CN118905809B，申请日期为2024年08月抛
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抛光方法步骤是什么？:抛光
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